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<title>Galliumarsenidphosphid</title>

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<h1 id="firstHeading" class="firstHeading mw-first-heading"><span class="mw-page-title-main">Galliumarsenidphosphid</span></h1>

</header>

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<div id="mw-content-text" class="mw-body-content mw-content-ltr" lang="de" dir="ltr"><div class="mw-content-ltr mw-parser-output" lang="de" dir="ltr"><p><b>Galliumarsenidphosphid</b> (GaAs<sub>1−x</sub>P<sub>x</sub>) ist eine <a href="Legierung" title="Legierung">Legierung</a> und <a href="III-V-Verbindungshalbleiter" title="III-V-Verbindungshalbleiter">III-V-Verbindungshalbleiter</a> bestehend aus den beiden Halbleitern <a href="Galliumarsenid" title="Galliumarsenid">Galliumarsenid</a> (GaAs) und <a href="Galliumphosphid" title="Galliumphosphid">Galliumphosphid</a> (GaP).<sup id="cite_ref-clark1_1-0" class="reference"><a href="#cite_note-clark1-1"><span class="cite-bracket">[</span>1<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Galliumarsenidphosphid wird als Werkstoff im Bereich der <a href="Optoelektronik" title="Optoelektronik">Optoelektronik</a> für die Herstellung von roten, orangen bis gelben <a href="Leuchtdiode" title="Leuchtdiode">Leuchtdioden</a> (LED) verwendet. Die konkrete Farbe wird durch das Mischungsverhältnis der beiden Grundsubstanzen eingestellt, dies wird als <i>x</i> in der Summenformel ausgedrückt. Damit lässt sich der <a href="Bandabstand" class="mw-redirect" title="Bandabstand">Bandabstand</a> des Halbleitermaterials verändern und damit seine optischen Eigenschaften beeinflussen. Zur qualitativen Verbesserung von Leuchtdioden basierend auf diesem Werkstoff werden Strukturen mit einer <a href="Dotierung" title="Dotierung">Dotierung</a> aus <a href="Stickstoff" title="Stickstoff">Stickstoff</a> (N) eingesetzt, und der Werkstoff als GaAsP:N bezeichnet.<sup id="cite_ref-sato1_2-0" class="reference"><a href="#cite_note-sato1-2"><span class="cite-bracket">[</span>2<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Bei dem Mischungsverhältnis von <i>x</i> = 0,45 weist GaAs<sub>55</sub>P<sub>45</sub> einen Bandabstand 1,98 <a href="Elektronenvolt" title="Elektronenvolt">eV</a> auf und ist unter der <a href="CAS-Nummer" title="CAS-Nummer">CAS-Nummer</a> <span title="Untervorlage eingebunden: CASRN"></span><a rel="nofollow" class="external text" href="https://commonchemistry.cas.org/detail?cas_rn=60953-19-7">60953-19-7</a><span class="editoronly" style="display:none;"></span> handelsüblich.<sup id="cite_ref-azom1_3-0" class="reference"><a href="#cite_note-azom1-3"><span class="cite-bracket">[</span>3<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Einzelnachweise">Einzelnachweise</h2></div>

<li id="cite_note-clark1-1"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-clark1_1-0">↑</a></span> <span class="reference-text">George D. Clark, Jr., Nick Holonyak, Jr.: <cite style="font-style:italic">Optical Properties of Gallium Arsenide-Phosphide</cite>. <span style="white-space:nowrap">Band<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>156</span>, <span style="white-space:nowrap">Nr.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>3</span>. The American Physical Society, 1967, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>913–924</span>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1103/PhysRev.156.913">10.1103/PhysRev.156.913</a></span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Galliumarsenidphosphid&rft.au=George+D.+Clark%2C+Jr.%2C+Nick+Holonyak%2C+...&rft.btitle=Optical+Properties+of+Gallium+Arsenide-Phosphide&rft.date=1967&rft.doi=10.1103%2FPhysRev.156.913&rft.genre=book&rft.issue=3&rft.pages=913-924&rft.pub=The+American+Physical+Society&rft.volume=156" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-sato1-2"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-sato1_2-0">↑</a></span> <span class="reference-text">Tadashige Sato, Megumi Imai: <cite style="font-style:italic">Characteristics of Nitrogen-Doped GaAsP Light-Emitting Diodes</cite>. <span style="white-space:nowrap">Band<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>41</span>. Japan Journal of Applied Physics, 2002, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>5995–5998</span>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1143/JJAP.41.5995">10.1143/JJAP.41.5995</a></span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Galliumarsenidphosphid&rft.au=Tadashige+Sato%2C+Megumi+Imai&rft.btitle=Characteristics+of+Nitrogen-Doped+GaAsP+Light-Emitting+Diodes&rft.date=2002&rft.doi=10.1143%2FJJAP.41.5995&rft.genre=book&rft.pages=5995-5998&rft.pub=Japan+Journal+of+Applied+Physics&rft.volume=41" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-azom1-3"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-azom1_3-0">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=8489"><i>Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP) Semiconductors.</i></a><span class="Abrufdatum"> Abgerufen am 3. November 2013</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AGalliumarsenidphosphid&rft.title=Gallium+Arsenide+Phosphide+%28GaAsP%29+Semiconductors&rft.description=Gallium+Arsenide+Phosphide+%28GaAsP%29+Semiconductors&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.azom.com%2Farticle.aspx%3FArticleID%3D8489"> </span></span>

</li>

</ol></div><div><div class="zim-footer">

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